富士通首次展示氮化铝衬底生长氮化镓应用潜力 / 四六文摘

2006年,美国Cree公司的Wu等人研制的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),4GHz时的输出功率密度达到 41.4W/mm.近十多年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业. 氮化镓 ...

摘要 : 随着电力电子装置的小型化和轻量化,宽禁带半导体器件GaN FET优于Si器件的特性使其在电力电子领域的应用受到广泛关注.在GaN FET的发展中,其结构和驱动对其安全应用至关重要.首 ...

纳米图形衬底对AlGaN基深紫外LED中光子输运的影响图形化蓝宝石衬底已经在可见光LED领域得到广泛的应用,其优势在于它不仅能有效改善外延生长质量,还可以提高LED的光提取效率.基于先进的半导体仿真 ...

2021年1月,MPS针对大功率PD快充市场推出了集成LLC控制和PFC控制器的合封芯片HR1211,让氮化镓快充正式进入数字时代! 搭载MPS HR1211数字芯片的大功率快充已经大批量上市,如ID ...

9月6日,国际知名设备和材料科学技术会议SSDM第53届年会线上举行,日本德山化工则展示了其正在研制中的用于电子器件和其它衬底的氢化物气相外延(HVPE)生长的AlN单晶衬底,这更像是产业化之前的预告 ...

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自GaN氮化镓快充市场爆发以来,MI小米已经陆续推出了65W.55W和33W三款氮化镓充电器,其中前两款分别是随同小米10 Pro/小米11手机一起发布的,而且55W氮化镓充电器还是小米11套装版的标 ...

"太空篱笆"是由多个S波段雷达构成的地基系统,大大增加了美国太空监视网络的能力. "太空篱笆"可以提供很高的灵敏度.覆盖范围和跟踪精度,并有能力探测.追踪和记录 ...

华为P40手机发布会刚刚结束,和之前小米发布会发布65W氮化镓充电器一样,也同时发布了一款65W 1A1C的氧化嫁快充充电器,随着氮化镓在5G周边产品.电动车.电源装置等应用的推动下,第三代半导体材料 ...

一.3月4日热点前瞻热点一:氮化镓逻辑概述:华为用于基础设施设备,特别是4G和5G基站的相关芯片订单量明显增加,基站用PA,正处于技术和制造工艺迭代时期,新工艺GaN正在逐步占领市场: 相关个股: ...

一.5月19日热点前瞻热点一:环境保护逻辑概述:1.18日联合发布关于开展医疗机构废弃物专项整治工作的通知,要求进一步提高医疗机构内部废弃物的规范化管理水平,增强医疗废物集中处置能力. 2.推动废 ...

一.热点前瞻热点一:存储芯片逻辑概述:中国首款国产NAND芯片将于2020下半年上市.长江存储将依靠自有解决方案,在今年下半年向大众依次推出更多产品,推出对象包括个人消费者.企业存储.云计算.高端 ...

富士通首次展示氮化铝衬底生长氮化镓应用潜力