Everspin代理MR20H40CDF串行MRAM替换CypressCY15B104Q铁电存储器 / 四六文摘

MRAM磁阻式随机存储芯片作为下一代存储芯片,近几年也是备受关注.从今年年初开始已经有如英特尔.三星等厂商宣布将量产MRAM存储芯片.现在又有一家叫做Everspin的公司宣布旗下的MRAM存储芯片进 ...

Everspin自成立之初就一直在研究MRAM磁阻式随机存储器,在近几年MRAM存储器的容量也有了很大的提升,相对大容量的MRAM存储器也开始量产,这也意味着MRAM存储器可以进入更广泛的应用场景.所 ...

赛普拉斯型号CY15B104Q-LHXI主要采用先进铁电工艺的4Mbit非易失性存储器.铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的,并且执行类似于RAM的读取和写入操作.它提供了151年的可靠数据保留, ...

Cypress凭借在分立存储器半导体领域近40年的经验,以同类最佳的存储器产品.解决方案和技术引领行业.于1982年推出第一款随机存取存储器,并从这个吉祥的开端发展为涵盖NOR闪存.pSRAM.SRA ...

功能概述 FM25V02A是使用高级铁电工艺的256Kbit非易失性存储器.FRAM是非易失性的:与RAM相同,它能够执行读和写操作.它提供151年的可靠数据保留时间,并解决了由串行闪存.EEPROM ...

FM25V10-GTR是采用先进铁电工艺的1Mbit非易失性存储器.铁电存储器或FRAM是非易失性的,并且执行类似于RAM的读取和写入操作.它提供了151年的可靠数据保留,同时消除了由串行闪存,EEP ...

CYPRESS提供全面的铁电RAM非易失性存储器产品组合,可在断电时立即捕获和保存关键数据.在关键任务数据记录应用中,例如需要高可靠性控制和吞吐量的工厂车间的高性能可编程逻辑控制器 (PLC),或以低 ...

MRAM(磁性只读存储器)和FRAM(铁电RAM)都声称具有相似的性能优势:低电压操作.长寿命和非常高的速度.他们以不同的方式实现这些目标,尽管在每种情况下,性能突破背后都有创新的材料技术. MR ...

Everspin公司型号EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋转移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存储器,在DDR3速度下具有非挥发性和高耐久性.该设备能够以高达1333M ...

产品描述 MR3A16A是一款MRAM非易失性存储器,位宽为512K x 16.MR3A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序,具有无限的耐久性.数据在20年以上始终是非易失性的.低压禁止电路 ...

Everspin是设计制造和商业交付分立磁阻RAM(MRAM)到市场和应用程序的全球领导者,在这些市场和应用程序中,数据持久性和完整性,低延迟和安全性至关重要.是MRAM产品的长期可靠制造商.Ever ...

Everspin代理MR20H40CDF串行MRAM替换CypressCY15B104Q铁电存储器