GaSb单晶基片,你了解多少？

GaSb单晶基片

GaSb可以作为衬底材料用作制备适合某些红外光纤传输的激光器和探测器，GaSb也被预见具有晶格限制迁移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潜在的应用前景。GaSb单晶基片GaSb单晶由于其晶格常数与带系在 0.8~4.3um宽光谱范围内的各种三元和四元，III-V族化合物固熔体的晶格常数匹配，因为GaSb可以作为衬底材料用作制备适合某些红外光纤传输的激光器和探测器，GaSb也被预见具有晶格限制迁移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潜在的应用前景。GaS单晶材料的主要生长方法，包括传统液封直拉技术（LEC）、改进的LEC技术、移动加热法/垂直梯度凝固技术（VGF）/垂直布里奇曼技术（VBG）等。主要性能参数单晶掺杂导电类型载流子浓度cm-3迁移率(cm2/V.s)位错密度(cm-2)标准基片GaSb本征P(1-2)*1017600-700《1*104Φ2″×0.5mmΦ3″×0.5mmGaSbZnP(5-100)*1017200-500《1*104Φ2″×0.5mmΦ3″×0.5mmGaSbTeN(1-20)´10172000－3500《1*104Φ2″×0.5mmΦ3″×0.5mm尺寸（mm）Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底表面粗糙度Surface roughness(Ra):<=5A可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告抛光单面或双面供应产品目录：MoReS2 Crystals 硫化铼钼晶体MoReS2 CrystalsMoWS2 二硫化钨钼晶体(Molybdenum Tungsten Disulfide)NbReS2 Crystals 硫化铼铌晶体NbReS2 CrystalsCuS 硫化铜晶体 (Copper Sulfide)(Copper Sulfide)Bi4Te1.5S1.5 硫化碲铋晶体(Bismuth TellurBi2S3 硫化铋晶体 (Bismuth Sulfide)(Bismuth Sulfide)As2S3 硫化砷晶体As2S3 crystals硫磷化铜（铟掺杂）晶体（99.995%） CuInP2S6CuInP2S6 crystals三硫化镍（磷掺杂）晶体（99.995%） NiPS3NiPS3 crystals三硫化锰（磷掺杂）晶体（99.995%） MnPS3MnPS3 crystals三硫化铁（磷掺杂）晶体（99.995%） FePS3FePS3 crystals三硫化铌晶体（99.995%） NbS3NbS3 crystals二硫化铌晶体 NbS2(2H-Niobium Disulfide)硫化铋 Bi2S3(Bismuth Sulfide)二硫化钼晶体（合成/2H）MoS₂(Molybdenum Disulfide)-syn硫盐矿物晶体（99.995%）Pb3Sn4FeSb2S14(Lead Tin Ferrum Antimony Sulfide)二硫化钼铼晶体 MoReS₂(Molybdenum Rhenium Disulfide)二硫化钨晶体（99.995%）2H-WS2(Tungsten Disulfide)二硫化钛晶体（99.995%）TiS2(Tantalum Sulfide)二硫化钽晶体(2H/99.995%)TaS2(Tantalum Sulfide) -2H二硫化钽晶体(1T/99.995%)TaS2(Tantalum Sulfide) -1T二硫化锡晶体（99.995%）2H-SnS2(Tin Sulfide)二硫化铼晶体（99.995%）ReS2 (Rhenium Disulfide)二硫化铅锡晶体（99.995%）PbSnS2(Lead Tin Disulfide)二硫化铌晶体（99.995%）3R-NbS2(Niobium Disulfide)二硫化钨钼晶体（99.995%）MoWS2(Molybdenum Tungsten Disulfide)大尺寸二硫化钼晶体（天然/99.9%）MoS2(Molybdenum Disulfide)二硫化钼晶体（2H-合成/99.995%/p 型）MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn二硫化钼晶体（2H-合成/99.995%/n型）MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn-N type二硫化钼晶体（天然/99%）MoS2(Molybdenum Disulfide)二硫化铪晶体（99.995%）HfS2 (Hafnium Disulfide)硫化锗晶体（99.995%）GeS(Germanium Sulfide)硫化镓晶体（99.995%）GaS(Gallium Sulfide)yyp2021.6.23