三星首发1znm的8Gb DDR4 DRAM:生产效率提升20%,下半年量产
相关推荐
-
三星电子开始采用EUV技术批量生产14纳米DRAM芯片
10月12日消息,据外媒报道,全球最大存储芯片制造商三星电子周二宣布,该公司开始使用极紫外光刻(EUV)技术批量生产业界最小的14纳米DRAM芯片,这有助于其巩固在存储行业的领导地位. 继去年3月出货 ...
-
【1αnm内存全球首创!容量猛增40%】美光宣布...
[1αnm内存全球首创!容量猛增40%]美光宣布,已开始批量出货基于1αnm工艺的DRAM内存芯片,这也是迄今为止最先进的DRAM工艺,拥有LPDDR5的时候可以让容量密度提升40%,功耗降低15%, ...
-
SK Hynix推1Ynm的8Gb DDR4:生产效率提升20%,功耗降低15%
在全球DRAM内存芯片市场上,SK Hynix目前的市场份额达到了29%,仅次于三星的45%,位列全球第二,领先于美光.在DRAM技术上,今年三星及美光都宣布了新一代1Ynm工艺的DRAM内存芯片,S ...
-
三星Galaxy S30:或是首款屏下摄像头的量产机,小米、OV或抢跑
2016年10月25日,在整个智能手机行业设计还停留在"iPhone式"历史背景下,小米联合当代著名设计大师.民主设计和极简设计的倡导者菲利普·斯塔克推出了小米MIX全面屏概念手机 ...
-
三星已经在其V1工厂开启EUV生产线的大规模量产
三星于昨晚宣布其已经在V1工厂中开启EUV生产线的大规模量产,这条生产线是三星第一条采用EUV技术的专用生产线. 三星的V1工厂位于韩国本土,始建于2018年2月份,并已经在去年下半年开启了晶圆生产的 ...
-
三星第二代10nm LPP工艺完成质量验证,即将进入量产阶段
2016年10月三星宣布正式量产10nm工艺处理器,首先享用到第一代10nm LPE工艺的是自家Exynos 8895 SoC和高通骁龙835 SoC,与此时同时的Intel和台积电还在玩14.16n ...
-
三星启用位于平泽的第二条存储生产线,开始量产16Gb的LPDDR5
三星于昨天宣布,他们已经启用了位于韩国平泽市的第二条存储芯片生产线,并且开始量产容量为16Gb的LPDDR5芯片,生产工艺是基于EUV光刻技术的第三代10nm级工艺(1z nm). 这款16Gb容量的 ...
-
美光正扩增1znm DDR4 DRAM的生产线,主要生产用于PC上的16Gb颗粒
目前DRAM内存的制程处在10nm级工艺,其中第三代10nm级工艺被业界称为1znm工艺,该工艺节点是当前DRAM内存在量产方面的最新节点,三星最早去年三月份首发了1znm工艺的8Gb DDR4 DR ...
-
Galaxy S10要上8GB内存了,三星首发LPDDR5芯片:提速50%
如今的智能手机内存容量越来越大,国产旗舰机内存容量是6GB起,高端的则是8GB内存,传闻下半年会有国产手机上10GB内存.除了容量之外,智能手机使用的内存有望升级下一代标准,目前使用的是LPDDR4/ ...
-
三星第二代10nm级别8Gb DDR4内存投产,以后高频条3600MHz起跳
三星刚才宣布量产第二代10nm级别(1y-nm)的8Gb DDR4内存颗粒,新的内存具备更高的频率与更低的供货,以及更小的尺寸,产能可以比初代10nm级别(1x-nm)的高30%,然而价格嘛--应该暂 ...
-
全球爆发芯片竞赛潮!三星首发3nm:台积电突破1nm,2nm芯片也来了
[5月18日讯]相信大家都知道,在最近一段时间,美国方面再次拉拢了全球高达64家科技巨头,成立了美国当地首个芯片技术联盟,或许也是迫于美国政府的压力,全球很多知名芯片企业都加入到其中,毕竟" ...
